La tecnología de 12 nm de la compañía de energía eléctrica de Taiwán solo está disponible en un grado inferior de tecnología de 12 nm.

A principios de este año, Samsung, la electrónica taiwanesa, el equipo especial británico, el sistema de 10 nm, se expusieron buenos y malos problemas, entre los cuales el mayor impacto lo realizó Samsung, debido a la computadora de alta velocidad, la segunda temporada de este año se lanzó oficialmente. Procesador 835, buena tasa. Oferta insuficiente para el liderazgo de la industria; Los especiales británicos son los más prolíficos, otros son el KabyLake de 14 nm, que se lanzó a principios de 2017; La fabricación a 10 nm está actualmente en producción; 10 nm de Taiwán El problema con la misma fábrica era que la tasa de rendimiento era baja y el problema con la tasa de rendimiento alta seguía siendo baja.

Como resultado, 10 nm ha alcanzado el nivel de demanda de energía, y el nivel actual de demanda de electricidad es bajo, y el problema de la falta de capacidad persiste, y han llegado otros clientes. En otras palabras, la tecnología de 10 nm más avanzada está disponible, y la versión mejorada de 16 nm también es una opción extremadamente única. La tecnología de 16 nm de Taiwán se lanzó en 2015, pero hay mucha información al respecto en el mundo exterior. En un momento en que la tasa de producción de fábrica de 10 nm es baja, se ha comenzado a entregar la producción de fábrica de 12 nm.

La tecnología de 10 nm de primera generación de Taiwán, que actualmente es una versión ligeramente mejorada de la tecnología de 16 nm, tiene una tasa de fuga aún menor y ha trascendido la tecnología actual de 14 nm de Samsung. El propósito de la versión mejorada de 12 nm de la tecnología general taiwanesa es contraatacar a Samsung, la marca, los fabricantes internacionales centrales y otros competidores, y controlar el mercado industrial moderno de 10-28 nm.

De hecho, se completó el año pasado en tecnología FD-SOI de 12 nm, y la tecnología FinFET de 16 nm tiene una relación de fase del 50 % en capacidad de proceso de 12 nm, del 15 % en rendimiento y del 40 % en rendimiento de 10 nm. Se muestra claramente que otras tecnologías de 10 nm se utilizan principalmente para un bajo consumo de energía, por lo que se ha iniciado el salto directo a 10 nm y se ha iniciado la investigación de tecnologías de 7 nm.

Desafortunadamente, la fábrica de 16 nm se ha utilizado durante cuatro generaciones, pero la fábrica no ha madurado y otros fabricantes han podido producir resultados en un período de tiempo más corto; A medida que la demanda de FD-SOI continúa aumentando, la empresa también ha establecido la estructura semilíder más avanzada del mundo.

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